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台积电官宣:正式启动2nm工艺研发

haixia002 2019-06-17 73717 浏览 0 评论

  全球知名半导体公司台积电官宣:正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。台积电厂务处处长庄子寿表示,台积电在台湾的第一家3nm工厂将于2021年投产,并将于2022年实现大规模生产。

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  按照台积电给出的指标,2nm工艺是一个重要节点,Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。

  台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化,能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹,接下来就看能不能做到1nm了。(来源:快科技)

https://www.leiphone.com/news/201906/ySIGiF7CaH3ziBkj.html

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